在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
Фото: Максим Блинов / РИА Новости。heLLoword翻译官方下载对此有专业解读
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此外，辅助功能中新增了「Reduce Highlighting Effects（降低高光效果）」选项，或用于减少按钮与滑块边缘的高光视觉效果。不过，该选项目前的实际变化并不明显。，更多细节参见safew官方版本下载